Microchip的官方资料里，PIC24F系列RTSP对FLASH的读写存在问题。

NVMCON中NVMOP操作，只有_NVMOP = 0001和0010两个操作可测试通过，另外两个操作在SIM仿真的时候报错。

我写了几段代码，主要是为了保存系统参数的，只对FLASH的24位中LB UB两个字节进行操作。
因为asm（）经过编译产生的汇编指令会对WREG0进行覆盖而造成FlashAddr的值被Dest地址覆盖，所以FlashErasePage和FlashWriteData两个函数中又另外定义了temp16，保证执行tblrdl和tblrdh指令时WREG0内是FlashAddr的内容。

void FlashReadData(UINT16 FlashAddr,UINT8 *Dest,UINT8 DataNum)
{
        TBLPAG = 0x00;
        for(;DataNum>0;DataNum--){
                asm("tblrdl.b [%1],%0":"=r"(*Dest):"r"(FlashAddr));
                Dest++;
                asm("tblrdh.b [%1],%0":"=r"(*Dest):"r"(FlashAddr));
                Dest++;
                FlashAddr += 2;
        }
}

void FlashErasePage(UINT16 FlashAddr)
{
        UINT16 temp16;

        NVMCON = FLASHERASEPAGE;
        TBLPAG = 0x00;
        temp16 = FlashAddr;
        asm("tblwtl w0,[w0]");

        NVMKEY = 0x55;
        NVMKEY = 0xaa;
        _WR = 1;
        Nop();
        Nop();
}

void FlashWriteData(UINT16 FlashAddr,UINT8 *Dest,UINT8 DataNum)
{
        UINT16 temp16;

        NVMCON = FLASHERASEPAGE;
        TBLPAG = 0x00;
        temp16 = FlashAddr;
        asm("tblwtl w0,[w0]");

        NVMKEY = 0x55;
        NVMKEY = 0xaa;
        _WR = 1;
        Nop();
        Nop();

        NVMCON = FLASHPROGLINE;
        TBLPAG = 0x00;
        for(;DataNum>0;DataNum--){
                asm("tblwtl.b %0,[%1]"::"r"(*Dest),"d"(FlashAddr));
                Dest++;
                asm("tblwth.b %0,[%1]"::"r"(*Dest),"d"(FlashAddr));
                Dest++;
                FlashAddr += 2;
        }

        NVMKEY = 0x55;
        NVMKEY = 0xaa;
        _WR = 1;
        Nop();
        Nop();
}

程序验证过功能正常，有没有大虾帮忙精简一下。

在LZ的基础上,修改成支持大于64K地址的读写FLASH功能
#include "p24Fxxxx.h"

#define UINT32 unsigned long
#define UINT16 unsigned int
#define UINT8  unsigned char

#define FLASH_ERASEPAGE 0x4042
#define FLASH_PROGLINE  0x4001

void FlashReadData(UINT32 FlashAddr,UINT8 *Dest,UINT8 DataNum)
{
        TBLPAG = ((FlashAddr & 0x7F0000)>>16);
        FlashAddr = (FlashAddr & 0x00FFFF);
          for(;DataNum>0;DataNum-=2)
        {
            asm("tblrdl.b [%1],%0":"=r"(*Dest):"r"(FlashAddr));
                Dest++;
              asm("tblrdh.b [%1],%0":"=r"(*Dest):"r"(FlashAddr));
              Dest++;
              FlashAddr += 2;
        }
}

void FlashErasePage(UINT32 FlashAddr)
{       
          NVMCON = FLASH_ERASEPAGE;
         
        TBLPAG = ((FlashAddr & 0x7F0000)>>16);
        FlashAddr = (FlashAddr & 0x00FFFF);
                asm("tblwtl w0,[w0]");

          NVMKEY = 0x55;
          NVMKEY = 0xaa;
          _WR = 1;
          Nop();
          Nop();
}

void FlashWriteData(UINT32 FlashAddr,UINT8 *Dest,UINT8 DataNum)
{
                FlashErasePage(FlashAddr);

          NVMCON = FLASH_PROGLINE;
         
          TBLPAG = ((FlashAddr & 0x7F0000)>>16);
        FlashAddr = (FlashAddr & 0x00FFFF);
         
          for(;DataNum>0;DataNum-=2)
        {       
            asm("tblwtl.b %0,[%1]"::"r"(*Dest),"d"(FlashAddr));
            Dest++;
            asm("tblwth.b %0,[%1]"::"r"(*Dest),"d"(FlashAddr));
            Dest++;
          FlashAddr += 2;
          }
          NVMKEY = 0x55;
                NVMKEY = 0xaa;
                _WR = 1;
          Nop();
          Nop();
}